Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.
Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei datiinfatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).

Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.
L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.

Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.
Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

Samsung 850 EVO. Interfaccia Solid State Drive (SSD): Serial ATA III, Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES. Fattore di forma dell'unità SSD: 2.5", Colore del prodotto: Nero

• Colore: Nero
• Dimensioni appross.:
  • 2,5"
  • 10 x 6,9 x 0,68 cm
• Tipo:
  • Sata III
  • SSD
• Capacità: 500 GB

• Capacità SSD: 500 GB
• Interfaccia Solid State Drive (SSD): Serial ATA III
• Velocità di lettura: 540 MB/s
• Velocità di scrittura: 520 MB/s
• Dimensioni di buffer del drive: 512 MB
• Velocità di trasferimento dati: 6 Gbit/s
• Lettura casuale (4KB): 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
• Scrittura casuale (4KB): 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
• Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
• Supporto S.M.A.R.T.: Si
• Supporto TRIM: Si
• Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h
• Fattore di forma dell'unità SSD: 2.5"
• Colore del prodotto: Nero
• Consumo di energia (in lettura): 0,1 W
• Consumo di energia (in scrittura): 0,1 W
• Consumo energetico (inattivo): 0,045 W
• Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
• Intervallo di temperatura: 40 - 85 °C
• Umidità: 5 - 95%
• Shock di non-funzionamento: 1500 G
• Vibrazione di non-funzionamento: 20 G
• Sistema operativo Windows supportato: Si
• Larghezza: 69,8 mm
• Profondità: 100 mm
• Altezza: 6,8 mm
• Interno: Si